通   知

 

  碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、导热能力好等性能优势,以此加工制造的宽禁带电力电子器件具有高频、高压、高效、耐高温、抗辐照、高可靠和大功率的优势和特性,被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件,对国民经济和国防领域有着十分巨大的牵拉带动作用。

  宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室瞄准国际技术研究前沿和我国重大应用需求,将开展一系列关键技术及专项研究攻关。为支撑实验室研究工作,提升自主创新能力,促进学科交叉和高水平学术交流,实验室设立开放基金课题,欢迎国内外相关领域的优秀科研团队申请开放基金课题。申报具体通知如下:

  申报形式与申报条件

  开放基金课题采取“团队申报”形式,不接受个人单独申请,申报项目团队的研究工作应符合实验室研究方向以及项目研究内容。

  申报程序

  1、根据《宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室2017-2018年开放基金课题指南》(附件1),申报团队填写《宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室开放基金课题申请书》(附件2),经所在单位签署意见、盖章后寄交本实验室,纸质材料一式三份,同时提交申请书电子版。

  2、开放基金课题申请截止日期为2017年1月30日。

  3、研究课题获批后,实验室将开放课题批准通知书下达给申请团队所在单位。

  4、课题研究年限为18个月。

  联系方式

  联系人:宋晓峰

  电话:02586858097,13814056346

  传真:025-86858333

  通讯地址:江苏省南京市中山东路524号,210016

  电子邮箱:dstd@nedi.cn

 

  附加1:宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室2017-2018年开放基金指南

  附件2:宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室申请书模板