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中国电子科技集团公司第五十五研究所

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功率肖特基势垒二极管（Power SBD）

所属分类：

硅功率器件

产品描述

功率肖特基势垒二极管（Power Schottky Barrier Diode）具有开关速度快、正向压降低等特点，是低功耗高速应用的理想之选。客户可根据电流、正向导通压降、耐压、结温等要求，选择不同的芯片规格，公司可根据客户需求研发和生产肖特基势垒二极管芯片。

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功率场效应管（Power VDMOS）

小信号肖特基势垒二极管（Small Signal SBD）

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小信号肖特基势垒二极管（Small Signal SBD）

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