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五十五所GaN FinFET技术突破获国际半导体行业权威杂志关注

日期:2017-05-18 11:30

近日,五十五所重点实验室张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文“High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications”(三维鳍式GaN高线性微波功率器件)被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》进行专栏报道,受到国内外业界关注。

 

《Semiconductor Today》杂志报道截图

 

张凯博士的论文聚焦重点实验室近期在GaN高线性技术方面获得的多个重要突破,创新提出三维GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶颈,极大改善了跨导平整度,大幅提升GaN器件线性度,同时维持高的输出功率和效率,为下一代移动通信高性能元器件奠定基础。本成果也是首次展示GaN三维器件相对于二维器件在微波功率应用的优势与潜力,有力推动了GaN三维器件的实用化进程。该成果研制过程中得到国家自然科学基金、预研基金等课题的支持。

注:SemiconductorToday是总部位于英国具有独立性和非盈利性的国际半导体行业著名杂志和网站,专注于报道化合物半导体和先进硅半导体的重要研究进展和最新行业动态,具有很强的行业影响力。

相关链接:http://www.semiconductor-today.com/news_items/2017/apr/nedi_070417.shtml

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