高涛所长在2017年中国集成电路制造年会上作主题发言
高涛所长在2017年中国集成电路制造年会上作主题发言
发布时间：
2017-12-29
9月26日，由工业和信息化部电子信息司、南京市政府为指导单位，中国半导体行业协会主办，南京市集成电路行业协会等单位联合承办的“2017年中国集成电路产业发展研讨会暨第20届中国集成电路制造年会”在南京盛大开幕。高涛所长作为专家代表受邀出席，并以《军民融合战略助推我国第三代半导体产业发展》为题作了大会报告，总结了我国第三代半导体产业发展现状，分析了5G通信等战略性新兴产业带来的发展机遇，并提出了军工企业军民融合发展思路。
高涛所长认为，第三代半导体是新一代半导体发展的战略制高点，其优越的性能可以满足现代电子技术对高频，宽带、高温、高压、大功率以及抗辐射等条件的要求，在军民两个市场都具有广阔的应用前景。军事装备的现代化，集成电路产业结构的调整，以及5G通信、电动汽车等战略性新兴产业的需求，都将第三代半导体的重要性上升到了空前的高度，第三代半导体技术将从军事应用走向大规模商用。
高涛所长介绍说，5G的发展面临着一系列挑战，其中高频器件就是制约我国5G产业发展的瓶颈之一。产业界在高频器件领域存在短板，但专业的军工院所在此领域却积累了多年的技术经验。2016年，五十五所发布的国内首款工作于毫米波波段、28GHz 、64通道的相控阵天线，充分体现了小型化、高性能的优势。该产品采用的都是自主研制的毫米波芯片，应用高密度三维集成等技术，很好的实现了军技民用。
高涛所长还介绍了五十五所在军民融合方面的具体实践和成果，他说，中国电科五十五所是国内最早从事第三代半导体研制的单位，通过多年的自主创新，拥有从材料、设计、芯片制造到封测的自主核心技术，和国外先进水平保持同步发展，具备丰富的工程化经验。通过持续的投入和研发，五十五所突破了三代半导体器件的多项关键技术，研制开发了系列GaN器件和SiC器件系列产品，相关产品处于国内领先，国际先进水平。此外，五十五所及控股公司开发的MEMS滤波器、SOI开关、TC-SAW声表滤波器等产品，也已陆续推向市场。
高涛所长认为，由于第三代半导体器件具有高度军民通用的属性，我们完全可以走出一条发展道路。一是要加强军工院所的体制机制创新，打造具有国际影响力的第三代半导体IDM龙头企业。二是要加强科技创新体系建设，培养高层次人才队伍。三是建立产学研用紧密结合的产业生态。
据悉，此次会议以“聚焦中国集成电路制造产业链协同发展”为主题，邀请了国家部委领导，江苏省、南京市地方政府领导，行业著名人士，产业链专家学者，企业家和投资人汇聚一堂，共同探讨中国集成电路制造产业链经济动向和资本市场在产业链协同发展中的议题;共同探讨我国新一轮集成电路产业发展高潮中可能出现的困难和问题、机遇和挑战。
