国基南方、55所召开庆祝建所65周年科技论坛
国基南方、55所召开庆祝建所65周年科技论坛
发布时间：
2023-09-19
六十五载接续创新探索，崭新征程聚智自立自强。
9月16日，国基南方、55所组织召开庆祝建所65周年科技论坛，共享研究进展、启发创新思路、促进技术交流、加强人才培养。国基南方董事长、党委书记、55所所长梅滨致开幕辞，国基南方总经理、党委副书记、55所常务副所长付兴昌主持会议。国基南方、55所领导班子成员，集团公司首席科学家、首席专家，科技委成员、中层干部、青年科技领军人才以及投稿文章作者等参加论坛。
梅滨表示，科技创新是55所的立所之本，65年的发展史就是一部自主创新的奋斗史，一代代科技工作者栉风沐雨，奋发图强，创造了许多第一，实现了从“小手工作坊”到“大尺寸晶圆”，从“跟踪研仿”到“创新引领”的跨越式发展。
梅滨指出，党和国家赋予了新一代科技工作者更加重要的使命责任，必须认真贯彻党中央科技强国战略部署，落实集团公司“六个进一步”“六个转变”“六项要求”等要求，聚焦强芯固基，持续强化国家战略科技力量，争当科技创新的第一方阵、第一尖兵，在支撑科技自立自强、构建新发展格局中发挥示范作用。
一要增强科技创新的战略能力，把握国家所需，紧跟信息化、数字化、智能化融合发展趋势，对接重大任务，加强前瞻布局，积极拓展重点领域新技术。二要增强协同创新能力，加强创新链各环节统筹协作，组织与产业链上下游企业、高校、研发机构等，开展广泛技术交流合作与联合攻关，推动关键核心技术突破。三要增强综合竞争力，坚持市场导向，加快创新成果转化，强化平台运维能力，优化产品研制模式，建立产品全生命周期的成本管控体系。
在主题报告环节，中国电科首席科学家、首席专家及各方向学术带头人立足自身科研方向，分别作题为《晶体管级异质集成技术及其典型应用》、《从射频MEMS到射频微系统》、《碳基电子器件技术研究进展》、《光电显示与探测技术发展进程和趋势》、《SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展》、《光电子芯片技术发展现状及趋势》专题学术报告，详细介绍了该领域的发展趋势和最新研究进展。
本次科技论坛按照芯片、分立器件、模块电路和光电等专业方向设立了5个分论坛。80余位投稿文章作者充分介绍了自己的研究成果，与现场专家及其他研究人员探讨研究进展，交流国内外行业动态。经过专家现场打分，评选出了本次论坛优秀论文。
科技论坛的顺利召开，为国基南方、55所科技创新工作营造了良好氛围。广大科技工作者备受鼓舞，表示将牢记“国之大者”，大力弘扬科学家精神，投身核心芯片自主创新事业，努力争当先锋、勇挑重担，不断攀登科技创新高峰，为加快实现高水平科技自立自强贡献力量。
