这个展会，看国扬公司秀双“芯”！
这个展会，看国扬公司秀双“芯”！
发布时间：
2018-08-09
此次展会，国扬公司以“SiC元素”为特色，重点展出了核心技术自主可控的SiC 4寸和6寸二极管圆片、SiC 4寸MOSFET圆片、SiC分立器件、SiC混合功率模块、全SiC功率模块以及数款拥有低电感、防爆、阻燃等自主知识产权的Si IGBT功率模块，展出产品电压涵盖600V～3300V，电流覆盖8A～3000A。
公司副总经理滕鹤松在展会期间接受《变频器世界》杂志专访时表示，面对未来的发展趋势，国扬公司的基本发展思路是：双“芯”驱动(Si IGBT和SiC芯片)发展，用新思路解决“芯”问题，具体就是要以SiC芯片为引领，做好技术创新和市场开拓，并以Si IGBT为核心，提升产品规模和公司体量。
同时，要抓住整个电力电子产业大发展、军民融合大发展、核心芯片大发展这三大机遇，加大投入、加大力度，充分发展和利用好现有的芯片设计、生产能力，把双“芯”驱动发展做实、做强、做大，用“芯”动能促进新发展，解决好核心之“芯”自主可控的问题。要把军民融合形成特色、优势和核心竞争能力，使其成为支撑和加速国扬公司发展的核心动力。
此次参展不仅能展示和推广系列产品，也是向同行学习、了解市场需求和发展动态的机会，国扬公司将提供更多有特色、有优势的方案和服务，推动公司产品市场拓展，树立企业品牌形象。
